染色體的數(shù)量和結(jié)構(gòu)畸變是核醫(yī)學(xué)主任技師考試需要了解的知識點(diǎn)，醫(yī)學(xué)|教育網(wǎng)搜集整理了相關(guān)資料，便于各位同學(xué)復(fù)習(xí)備考！

細(xì)胞在分裂過程中染色體的數(shù)量和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化稱為染色體畸變（chromosomeaberration）?；兛梢宰匀话l(fā)生，稱自發(fā)畸變（spontaneous aberration）。許多物理、化學(xué)因素和病毒感染可使畸變率增高。電離輻射是畸變誘發(fā)因素，其原因是電離粒子穿透染色體或其附近時，使染色體分子電離發(fā)生化學(xué)變化而斷裂。

（一）染色體數(shù)量變化

照射時染色體發(fā)生粘著，在細(xì)胞分裂時可能產(chǎn)生染色體不分離現(xiàn)象，致使兩個子細(xì)胞中染色體不是平均分配，生成非整倍體（aneuploid）細(xì)胞。

（二）染色體結(jié)構(gòu)變化

1.染色體型畸變：當(dāng)染色體在復(fù)制之前受照射（即細(xì)胞處于G1期或S期初期受照射），染色體發(fā)生畸變之后再進(jìn)行復(fù)制，稱染色體型畸變。斷片、著絲粒環(huán)、雙著絲粒體、相互易位、倒位及缺失等畸變屬于這一類。

（1）斷片， （2）雙著絲點(diǎn) （3）環(huán)

2.染色單體型畸變：當(dāng)染色體復(fù)制之后受照射（即細(xì)胞處于S期后期或G2期受照射），在一個染色單體臂上發(fā)生斷裂或裂隙，稱為染色單體型畸變（chromatid aberration）。單體斷片、單體互換等屬這一類。

電離輻射誘發(fā)的畸變以染色體型畸變?yōu)橹?，尤以斷片，環(huán)和雙著絲粒體等畸變，在反映輻射效應(yīng)的程度方面更有意義。